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之所把它称之为“水晶头”，是因为它的外表晶莹透亮的原因。水晶头适用于设备间或水平子系统的现场端接，外壳材料采用高密度聚乙。每条双绞线两头通过水晶头与网卡和机相连。A类B类水晶头方式我们一般 A，大多数我们使用的都是B类接法。具体排线方法是：T568B：“橙白、橙、绿白、蓝、蓝白、绿、棕白、棕”；T568A：“绿白、绿、橙白、蓝、蓝白、橙、棕白、棕”。

一 ：产品执行标准

GB/T4989-94（等效采用IEC584-3标准）

本质安全防爆测温系统用补偿导线或电缆采用低电容、低电感材料结构，具有防爆安全性能，适用于有危险的环境下作防爆热电偶冷短与防爆测温仪表连接，形成本安热电偶测温系统。

二：产品特点及用途

　　一般用聚氯乙绝缘和护套补偿导线或电缆具有优良的防潮、耐磨及阻燃特性；耐高温氟塑料绝缘和护套补偿导线或电缆采用连续挤出工艺，更有耐高温、耐寒、耐酸碱油水、不延燃、抗老化等 等效采用IEC584-3）的规定。

三：使用特性

1． 导体工作温度：耐热级：聚全氟乙丙（F46）200℃

可溶性聚四氟乙260℃

硅橡胶180℃，其他性能见硅橡胶电缆。

普通级：聚氯乙70℃和105℃，交联聚乙90℃

低烟无卤阻燃聚烃70℃，交联型90℃和125℃，其他性能见低烟无卤电缆。

2． 低环境温度：聚氯乙护套：固定敷设-40℃，非固定敷设-15℃

氟塑料绝缘和护套：固定敷设-60℃，非固定敷设-20℃

3． 电缆允许弯曲半径： 非铠装电缆为外径的6倍

铜带屏蔽或钢带铠装点缆为电缆外径的12倍

氟塑料绝缘和护套为电缆外径的10倍

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接着通过关电路把直流电转为高频脉动直流电，再送高频关变压器降压。然后滤除高频交流部分，这样 输出供电脑使用相对纯净的低压直流电。EMI电路的主要作用是什么？答：EMI电路的作用是滤除由电网进来的各种干扰信号，防止电源关电路形成的高频扰窜电网。EMI是CCC认证一个重要内容。什么是高压整流滤波电路？答：高压整流滤波电路由一个整流桥和两个高压电解电容组成。作用是把22V交流市电转换成3V直流电。

四：基本型号及名称

1：热电偶用补偿导线型号名称

KX-GA-VV 聚氯乙绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA-VVR 聚氯乙绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA-VVP 聚氯乙绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA-VVRP 聚氯乙绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FF 氟塑料绝缘和护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FFR 氟塑料绝缘和护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FFP 氟塑料绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FFRP 氟塑料绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FG 氟塑料绝缘硅橡胶护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FGR 氟塑料绝缘硅橡胶护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FGP 氟塑料绝缘硅橡胶护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FGRP 氟塑料绝缘硅橡胶护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FV 氟塑料绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-HA-FVR 氟塑料绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-HA-FVP 氟塑料绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线

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KX-HA-FVRP 氟塑料绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA-YJV 交联聚乙绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA-YJVR 交联聚乙绝缘聚氯乙护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA-YJVP 交联聚乙绝缘聚氯乙护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA-YJVRP 低烟无卤绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA-YDYD 低烟无卤绝缘和护套精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA- YDYD R 低烟无卤绝缘和护套精密级K分度号热电偶补偿软导线KX-GA- YDYD P 低烟无卤绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿导线KX-GA- YDYD RP 低烟无卤绝缘和护套铜丝编织屏蔽精密级K分度号热电偶补偿软导线

注：上述型号仅列出KX，其他如SC、KC、EX、BC、TX、JX只需改变型号项即可，

阻燃型补偿导线型号前加ZR，ZR192为进口PFA材料，屏蔽可采用镀锡铜丝屏蔽。

JXHBP、TXHBRP、KXHB、KX-HA-HB补偿导线规格齐全[股份@有限公司]欢迎您场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。