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如果能够触发到IO输入这边,也就是让传感器通电了,让传感器进入工作状态,用直流电压档测量OUT对地之间,会和I/O的输入状态电平刚好相反,因为三极管形成了一个反向器,这样也可以证明手头的传感器是NPN类型的。相对比较麻烦的,还是上图这种没有内置上拉电阻的,而需要外置上拉电阻,或者让负荷本身来上拉电阻的NPN型传感器,不过动一下脑筋也不难,因为厂家都考虑到负载不可预测性,会在三极管的输出和三极管的E两端,并联一个稳压二极管,使用万用的二极管档,完全可以测量到这个二极管存在,从而判断出来是否为NPN型三极管。
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正接时候,R1VGS电压,MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通,所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds(on)只有20mΩ实际损耗很小,3A的电流,功耗为(3×3)×0.02=0.18W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。P沟道MOS管防反接保护电路电路如示因为NMOS管的导通电阻比PMOS的小且价格相对更便宜,选NMOS。
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B型补偿导线、E型补偿导线[股份@有限公司]欢迎您我要说的是,变频器的效率可能比想象中的要高,现在主流变频器的技术通常能达到0.9以上,电机降低速度时,效率是下降了,但能耗是按照转速的三次方比例下降的。可以说,考虑变频器和电机的效率时,变频器技术依旧是节能的。当然,前提是存在降低负荷运行的前提。至于整体经济划不划算,只能针对具体项目进行技术经济比较了。思考:变频器节能技术是比较成熟的技术,但是否所有负载、所有运行工况都适合配置变频器,是否定的。